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BF1211WR,115
| 制造商 | |
| 描述 | Transistors RF MOSFET Small Signal TAPE-7 MOS-RFSS MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R BF1211WR,115, N-channel Dual Gate MOSFET Transistor, 0.03A 6V, 4-Pin CMPAK |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | 568-1961-1 | 标准包装数量 | 3,000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| 增益 | 29dB | 频率 | 400MHz |
| 最大栅源电压 Vgs | 6 V | 噪声系数 | 0.9dB |
| 测试电压 | 5V | 额定电压 | 6V |
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate | 输出电流 | 15mA |
| 元件数量 | 1 | 击穿电压 | 6 V |
| 最大额定电流 | 30mA | 最大功耗 | 0.18 W |
| 典型功耗（条件） | 34 dB | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.03 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1.1 pF @ 5 V (Gate 2), 2.1 pF @ 5 V (Gate 1) | ||
机械参数
| 宽度 | 1.35mm | 高度 | 1mm |
| 长度 | 2.2mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 封装形式 | SC-82A, SOT-343 |
| 冷却的封装 | CMPAK | 尺寸/外形 | 2.2 x 1.35 x 1mm |
| 位数 | 4 | 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | RF MOSFET |
| 配置 | Dual Gate, Single | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||
文档与媒体
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