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厂商型号

BDX53BFP 

产品描述

Transistors Darlington Silicon Pwr Trnsistr

内部编号

390-BDX53BFP

生产厂商

STMicroelectronics

stm

#1

数量:534
最小起订量:1
美国费城
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BDX53BFP产品详细规格

规格书 BDX53BFP datasheet 规格书
BDX53BFP
BDX53BFP datasheet 规格书
文档 BDX53BFP View All Specifications
Rohs Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件 BDX53BFP View All Specifications
标准包装 50
晶体管类型 NPN - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 2V @ 12mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 750 @ 3A, 3V
功率 - 最大 29W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220FP
包装材料 Tube
单位包 50
最小起订量 4000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 8A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2V @ 12mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-220FP
封装 Tube
功率 - 最大 29W
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 750 @ 3A, 3V
其他名称 497-12144
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 8 A
集电极 - 基极电压 80 V
集电极 - 发射极电压 80 V
集电极 - 发射极饱和电压 2 V
发射极 - 基极电压 5 V
安装 Through Hole
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 TO-220FP
引脚数 3 +Tab
极性 NPN
元件数 1
直流电流增益 750
工作温度分类 Military
基射极饱和电压(最大值) 2.5 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 8 A
晶体管极性 :NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :80V
功耗 :29W
DC Collector Current :8A
DC Current Gain hFE :750
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-220FP
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Av Current Ic :8A
Collector Emitter Voltage Vces :2V
连续集电极电流Ic最大 :12A
Current Ic Continuous a Max :8A
Current Ic hFE :3A
Full Power Rating Temperature :25°C
Hfe Min :150
No. of Transistors :1
Power Dissipation Ptot Max :60W
端接类型 :Through Hole
Voltage Vcbo :80V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
associated SK 409/254 STS
SK 409/508 STS
SK 145/375 STS-220
MK3311
MK3306

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