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Thumbnail BDX53B Thumbnail BDX53B Thumbnail BDX53B Thumbnail BDX53B Thumbnail BDX53B Thumbnail BDX53B
厂商型号:

BDX53B

芯天下内部编号:
390-BDX53B
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220
配置 Single
类型 NPN
最大集电极发射极电压 80 V
峰值直流集电极电流 8 A
最小直流电流增益 750@3A@3V
最大集电极发射极饱和电压 2@12mA@3A V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 2.5@12mA@3A
最大集电极发射极饱和电压 2@12mA@3A
Package Width 4.6(Max)
PCB 3
最大功率耗散 60000
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
最低工作温度 -65
供应商封装形式 TO-220
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 150
Maximum Continuous DC Collector Current 8
Package Length 10.4(Max)
最大集电极发射极电压 80
Package Height 9.15(Max)
Maximum Emitter Base Voltage 5
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Through Hole
P( TOT ) 60W
匹配代码 BDX53B
I(C ) 8A
V( CEO ) 80V
单位包 50
标准的提前期 12 weeks
最小起订量 50
极化 NPN
无铅Defin RoHS-conform
电流增益 750
V( CBO ) 80V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 8A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2V @ 12mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-220AB
功率 - 最大 60W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 750 @ 3A, 3V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm
身高 9.15mm
长度 10.4mm
最大的基射极饱和电压 2.5 V
最大集电极基极电压 80 V
最大集电极截止电流 0.2mA
最大连续集电极电流 8 A
最大基地发射极电压 5 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -65 °C
包装类型 TO-220
宽度 4.6mm
工厂包装数量 1000
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 750
集电极最大直流电流 8 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 60 W
集电极 - 基极电压VCBO 80 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 8 A
集电极电流( DC)(最大值) 8 A
集电极 - 基极电压 80 V
集电极 - 发射极电压 80 V
集电极 - 发射极饱和电压 2 V
发射极 - 基极电压 5 V
工作温度范围 -65C to 150C
极性 NPN
元件数 1
直流电流增益 750
工作温度分类 Military
基射极饱和电压(最大值) 2.5 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 8 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :80V
功耗 :60W
DC Collector Current :8A
DC Current Gain hFE :750
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-220
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Av Current Ic :8A
Collector Emitter Voltage Vces :2V
连续集电极电流Ic最大 :8A
Current Ic Continuous a Max :8A
Current Ic hFE :3A
Full Power Rating Temperature :25°C
Hfe Min :750
No. of Transistors :1
Power Dissipation Ptot Max :60W
端接类型 :Through Hole
Voltage Vcbo :80V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900

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