图片仅供参考,产品以实物为准
| 文档 |
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007 Multiple Devices 14/Mar/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 8A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 2V @ 12mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 750 @ 3A, 3V |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 包装材料 | Tube |
| 最大的基射极饱和电压 | 2.5@12mA@3A |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最小直流电流增益 | 750@3A@3V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Rail |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 8 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@12mA@3A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 60000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 8A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 2V @ 12mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 750 @ 3A, 3V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 8 A |
| 集电极 - 基极电压 | 60 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 60 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | TO-220 |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 750 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 2.5 V |
| 弧度硬化 | No |
BDX53ATU也可以通过以下分类找到
BDX53ATU相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家