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文档 |
Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 150 |
IGBT 型 | Field Stop |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 650V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 80A |
功率 - 最大 | 290W |
Input 型 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-247AB |
配置 | Single |
最大集电极发射极电压 | 650 V |
最大连续集电极电流 | 80 A |
最大栅极发射极电压 | ±20 V |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Tape & Reel |
标准包装 | Rail / Tube |
供应商封装形式 | TO-247AB |
最大栅极发射极电压 | ±20 |
最大连续集电极电流 | 80 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
包装宽度 | 4.7 |
包装高度 | 20.6 |
最大功率耗散 | 290000 |
渠道类型 | N |
封装 | Tube |
最大集电极发射极电压 | 650 |
标签 | Tab |
PCB | 3 |
包装长度 | 15.6 |
最低工作温度 | -55 |
引脚数 | 3 |
栅极电荷 | 120nC |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 80A |
安装类型 | Through Hole |
开关能量 | 1.65mJ |
时间Td(开/关) @ 25°C | 24ns/112ns |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 2.4V @ 15V, 40A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 650V |
供应商设备封装 | TO-247 |
反向恢复时间(trr ) | 45ns |
功率 - 最大 | 290W |
输入类型 | Standard |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IGBT类型 | Field Stop |
测试条件 | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
电流 - 集电极脉冲( ICM ) | 120A |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
外形尺寸 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
身高 | 20.6mm |
长度 | 15.6mm |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 290 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-247 |
宽度 | 4.7mm |
工厂包装数量 | 150 |
产品种类 | IGBT Transistors |
连续集电极电流Ic最大 | 80 A |
系列 | FGH40N65UFD |
单位重量 | 0.225401 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 650 V |
安装风格 | Through Hole |
RoHS | RoHS Compliant |
DC Collector Current | :80A |
Collector Emitter Voltage Vces | :650V |
功耗 | :290W |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :650V |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-247AB |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
Power Dissipation Max | :290W |
晶体管类型 | :IGBT |
Weight (kg) | 0.00542 |
Tariff No. | 85412900 |
associated | IR2010PBF ML524-30-B FK 243 MI 247 V |
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