图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Plating Material 20/Dec/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 150 |
| IGBT 型 | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 40A |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 64A |
| 功率 - 最大 | 417W |
| Input 型 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-247AB |
| 配置 | Single |
| 最大集电极发射极电压 | 1200 V |
| 最大连续集电极电流 | 64 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±25 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | TO-247AB |
| 最大栅极发射极电压 | ±25 |
| 最大连续集电极电流 | 64 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大集电极发射极电压 | 1200 |
| 最大功率耗散 | 417000 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 栅极电荷 | 220nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 64A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 开关能量 | 3.4mJ |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 15ns/110ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 3.2V @ 15V, 40A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 功率 - 最大 | 417W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| IGBT类型 | NPT |
| 测试条件 | 600V, 40A, 5 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 160A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
| 身高 | 20.6mm |
| 长度 | 15.6mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 417 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-247AB |
| 宽度 | 4.7mm |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 产品种类 | IGBT Transistors |
| 连续集电极电流Ic最大 | 64 A |
| 系列 | FGH |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 64 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 1200 V |
| 工作温度（最大） | 150C |
| 工作温度（最小值） | -55C |
| 工作温度分类 | Military |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | �25 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 64 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 技术 | Si |
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