图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
| 标准包装 | 150 |
| IGBT 型 | Field Stop |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 蒸气云爆炸（上）（最大值）”的发展，集成电路 | 2.5V @ 15V, 40A |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 80A |
| 当前 - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| 功率 - 最大 | 349W |
| Switching 能源 | 1.56mJ |
| 输入 型 | Standard |
| 栅极电荷 | 119nC |
| Td（开/关）@ 25°C | 12ns/92ns |
| 测试条件 | 400V, 40A, 6 Ohm, 15V |
| 反向恢复时间（trr） | 70ns |
| 包装材料 | Tube |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 动态目录 | Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17403?mpart=FGH40N60SMDF&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0 |
| 包装 | 3TO-247 |
| 配置 | Single |
| 最大集电极发射极电压 | 600 V |
| 最大连续集电极电流 | 80 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | TO-247 |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 |
| 最大连续集电极电流 | 80 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大集电极发射极电压 | 600 |
| 最大功率耗散 | 349000 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 栅极电荷 | 119nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 80A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 开关能量 | 1.56mJ |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 12ns/92ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.5V @ 15V, 40A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 反向恢复时间（trr ） | 70ns |
| 功率 - 最大 | 349W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| IGBT类型 | Field Stop |
| 测试条件 | 400V, 40A, 6 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 120A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
| 身高 | 20.6mm |
| 长度 | 15.6mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 349 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-247AB |
| 宽度 | 4.7mm |
| 工厂包装数量 | 150 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.9 V |
| 产品种类 | IGBT Transistors |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 400 nA |
| 系列 | FGH40N60SMDF |
| 连续集电极电流在25 C | 80 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 单位重量 | 0.225401 oz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 349 W |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 80 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 600 V |
| 工作温度（最大） | 175C |
| 工作温度（最小值） | -55C |
| 工作温度分类 | Military |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | �20 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 80 A |
| DC Collector Current | :80A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :600V |
| 功耗 | :349W |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :600V |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-247AB |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Power Dissipation Max | :349W |
| 晶体管类型 | :IGBT |
| Weight (kg) | 0.00542 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | ML524-30-B FK 243 MI 247 V TC4422EPA |
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