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数量:0 |
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| 规格书 |
 J111, 12 |
| 文档 |
Multiple Devices 30/Jun/2006 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电流 - 漏（IDSS），VDS（VGS = 0） | 5mA @ 15V |
| 漏极至源极电压（VDSS） | - |
| 漏电流（ID） - 最大 | - |
| FET 型 | N-Channel |
| - 击穿电压（V（BR）的GSS） | 35V |
| - 截止电压（VGS的关闭）@ ID | 1V @ 1µA |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 电阻 - RDS（ON） | 50 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 35V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 5mA @ 15V |
| 电阻 - RDS（ON） | 50 Ohm |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 1V @ 1µA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 标准包装 | 2,000 |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
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