1. J112,126
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厂商型号

J112,126 

产品描述

JFET AMMORA FET-RFSS

内部编号

229-J112-126

生产厂商

NXP Semiconductors

nxp

#1

数量:0
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美国费城
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J112,126产品详细规格

规格书 J112,126 datasheet 规格书
J113 AMO
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) 5mA @ 15V
漏极至源极电压(VDSS) 40V
漏电流(ID) - 最大 -
FET 型 N-Channel
- 击穿电压(V(BR)的GSS) 40V
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID 1V @ 1µA
输入电容(Ciss)@ Vds的 6pF @ 10V (VGS)
电阻 - RDS(ON) 50 Ohm
安装类型 Through Hole
包装材料 Tape & Box (TB)
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
功率 - 最大 400mW
封装 Tape & Box (TB)
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) 40V
安装类型 Through Hole
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) 5mA @ 15V
电阻 - RDS(ON) 50 Ohm
供应商设备封装 TO-92-3
电压 - 切断(VGS关)@ Id 1V @ 1µA
FET型 N-Channel
功率 - 最大 400mW
标准包装 2,000
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
漏极至源极电压(Vdss) 40V
输入电容(Ciss ) @ VDS 6pF @ 10V (VGS)
工厂包装数量 2000
漏源电压VDS 40 V
产品种类 JFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 - 40 V
安装风格 SMD/SMT
零件号别名 AMO J112
配置 Single
RoHS RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
品牌 NXP Semiconductors
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - 40 V

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