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规格书 |
![]() J113 AMO |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) | 5mA @ 15V |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
漏电流(ID) - 最大 | - |
FET 型 | N-Channel |
- 击穿电压(V(BR)的GSS) | 40V |
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID | 1V @ 1µA |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 6pF @ 10V (VGS) |
电阻 - RDS(ON) | 50 Ohm |
安装类型 | Through Hole |
包装材料 | Tape & Box (TB) |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 400mW |
封装 | Tape & Box (TB) |
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) | 40V |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) | 5mA @ 15V |
电阻 - RDS(ON) | 50 Ohm |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
电压 - 切断(VGS关)@ Id | 1V @ 1µA |
FET型 | N-Channel |
功率 - 最大 | 400mW |
标准包装 | 2,000 |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 6pF @ 10V (VGS) |
工厂包装数量 | 2000 |
漏源电压VDS | 40 V |
产品种类 | JFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | - 40 V |
安装风格 | SMD/SMT |
零件号别名 | AMO J112 |
配置 | Single |
RoHS | RoHS Compliant |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
品牌 | NXP Semiconductors |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 40 V |
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