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fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-92 |
| 配置 | Single |
| 最大门源电压 | -35 V |
| 最大漏极栅极电压 | 35 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Ammo Pack |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大门源电压 | -35 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Ammo |
| 最大功率耗散 | 625 |
| 最大漏极栅极电压 | 35 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Formed |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 35V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 5mA @ 15V |
| 电阻 - RDS（ON） | 50 Ohm |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 1V @ 1µA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | JFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | - 35 V |
| 系列 | J112 |
| 单位重量 | 0.007090 oz |
| RDS（ON） | 50 Ohms |
| 功率耗散 | 625 mW |
| 安装风格 | Through Hole |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 5 mA |
| 栅源截止电压 | - 5 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管类型 | :JFET |
| Breakdown Voltage Vbr | :-5V |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | :5mA |
| Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max | :-5V |
| 功耗 | :625mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-92 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Idss Min | :5mA |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss | :5mA |
| Weight (kg) | 0.0001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 其他名称 | J112_D74ZCT |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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