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厂商型号

BLS6G3135-120,112 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 60V 7.2A 3-Pin LDMOST Blister

内部编号

229-BLS6G3135-120-112

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

#1

数量:3
最小起订量:1
英国伦敦
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国加州
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BLS6G3135-120,112产品详细规格

规格书 BLS6G3135-120,112 datasheet 规格书
BLS6G3135-120,112 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 20
晶体管类型 LDMOS
频率 3.1GHz ~ 3.5GHz
增益 11dB
电压 - 测试 32V
额定电流 7.2A
噪声系数 -
电流 - 测试 100mA
Power - 输出功率 130W
电压 - 额定 60V
包/盒 SOT-502A
供应商器件封装 LDMOST
包装材料 Tray
包装 3LDMOST
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 7.2 A
RDS -于 160@6.05V mOhm
最大门源电压 13 V
典型上升时间 20 ns
典型下降时间 6 ns
工作温度 -65 to 225 °C
安装 Screw
标准包装 Rail / Tube
Confezione fornitore SOT-502A
Montaggio Screw
Resistenza di sorgente di drain massima 160@6.05V
TIPO二运河 N
每个芯片NUMERO二培元 1
包装宽度 9.91(Max)
Modalità canale Enhancement
PCB 3
Temperatura d'esercizio minima -65
符合UE Compliant
Potenza in uscita 130(Typ)
Corrente di drain continua massima 7.2
诺姆标准苏拉confezione SOT-502A
Massima tensione di drain alla fonte 60
经conduttore Flat
NUMERO DEI针 3
Confezione Blister
Efficienza drain tipica 43
包装长度 34.16(Max)
包装高度 4.72(Max)
Massima temperatura d'esercizio 225
Frequenza massima 3500
Guadagno di potenza tipico 11
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 60V
供应商设备封装 LDMOST
电压 - 测试 32V
封装 Tray
频率 3.1GHz ~ 3.5GHz
增益 11dB
封装/外壳 SOT-502A
电流 - 测试 100mA
额定电流 7.2A
功率 - 输出 130W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 20
产品种类 Transistors RF MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 13 V
连续漏极电流 7.2 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 160 mOhms
输出功率 120 W
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 BLS6G3135-120
产品类型 MOSFET Power
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant

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