BLS6G2735L-30,112

产品描述

BLS6G2731P-200/PALLET01/TRAYM/

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美国加州
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规格书	BLS6G2735L(S)-30
文档	RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013
标准包装	20
晶体管类型	LDMOS
频率	2.7GHz ~ 3.5GHz
增益	13dB
电压 - Test	32V
当前 Rating	-
噪声系数	-
当前 - Test	50mA
Power - 输出功率	30W
电压 - 额定	60V
包/盒	SOT1135A
供应商器件封装	CDFM2
包装材料	Tube
动态目录	RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17295?mpart=BLS6G2735L-30,112&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；
供应商封装形式	CDFM
最大频率	3500
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	225
通道模式	Enhancement
输出功率	30(Typ)
包装高度	4.65(Max)
安装	Screw
Typical Drain Efficiency	50
渠道类型	N
封装	Bulk
最大漏源电阻	580@6.15V
每个芯片的元件数	1
包装宽度	9.91(Max)
典型功率增益	13
PCB	2
包装长度	20.45(Max)
最低工作温度	-65
最大漏源电压	60
引脚数	2
晶体管类型	LDMOS
电压 - 额定	60V
标准包装	20
供应商设备封装	CDFM2
电压 - 测试	32V
频率	2.7GHz ~ 3.5GHz
增益	13dB
封装/外壳	SOT1135A
电流 - 测试	50mA
功率 - 输出	30W
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	60
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	13 V
连续漏极电流	8.2 A
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	580 mOhms
输出功率	30 W
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	60 V
RoHS	RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
BLS6G2735LS-30,112	nxp semiconductors	BLS6G2735L-30/ACC-2L/TUBE-BULK
BLS6G2731-120	NXP Semiconductors	Transistors RF MOSFET Power LDMOS TNS
BLS6G2731-120,112	nxp semiconductors	Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin LDMOST Blister
BLS6G2731-6G	NXP Semiconductors	Transistors RF MOSFET Power 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl.
BLS6G2731-6G,112	nxp semiconductors	Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin CDFM Bulk
BLS6G2731P-200,117	nxp semiconductors	BLF884P/ACC-4L/TUBE-BULK//
BLS6G2731S-120	NXP Semiconductors	Transistors RF MOSFET Power LDMOS TNS
BLS6G2731S-120,112	nxp semiconductors	Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin LDMOST Blister
BLS6G2731S-130,112	nxp semiconductors	Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin CDFM Bulk
BLS6G2933P-200,117	nxp semiconductors	BLS6G2933P-200/PALLET01/TRAYM/
BLS6G2933S-130	NXP Semiconductors	Transistors RF MOSFET Power 130W, 2.9-3.3GHz Radar Appl.
BLS6G2933S-130,112	nxp semiconductors	Trans MOSFET N-CH 60V 3-Pin CDFM Bulk
BLS6G3135-120	NXP Semiconductors	Transistors RF MOSFET Power LDMOS TNS
BLS6G3135-120,112	nxp semiconductors	Trans MOSFET N-CH 60V 7.2A 3-Pin LDMOST Blister
BLS6G3135-20	NXP Semiconductors	Transistors RF MOSFET Power LDMOS TNS
BLS6G3135-20,112	nxp semiconductors	Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A 3-Pin CDFM Blister
BLS6G3135S-120,112	nxp semiconductors	Trans MOSFET N-CH 60V 7.2A 3-Pin LDMOST Blister
BLS6G3135S-20,112	nxp semiconductors	Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A 3-Pin CDFM Bulk

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