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| 规格书 |
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| 标准包装 | 20 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 2.7GHz ~ 3.1GHz |
| 增益 | 13.5dB |
| 电压 - Test | 32V |
| 当前 Rating | 33A |
| 噪声系数 | - |
| 当前 - Test | 100mA |
| Power - 输出功率 | 120W |
| 电压 - 额定 | 60V |
| 包/盒 | SOT-502B |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 包装材料 | Tray;;其他的名称； |
| 包装 | 3LDMOST |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 33 A |
| RDS -于 | 135@6.15V mOhm |
| 最大门源电压 | 13 V |
| 典型上升时间 | 20 ns |
| 典型下降时间 | 6 ns |
| 工作温度 | -65 to 225 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 60V |
| 供应商设备封装 | SOT502B |
| 电压 - 测试 | 32V |
| 封装 | Tray |
| 频率 | 2.7GHz ~ 3.1GHz |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 电流 - 测试 | 100mA |
| 额定电流 | 33A |
| 功率 - 输出 | 120W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 13 V |
| 连续漏极电流 | 33 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 135 mOhms |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 零件号别名 | BLS6G2731S-120 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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