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数量:466 |
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规格书 |
IXT(U,Y)12N06T |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 85 mOhm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 25µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 3.4nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 256pF @ 25V |
功率 - 最大 | 33W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
供应商器件封装 | TO-251 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 25µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
供应商设备封装 | TO-251 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 85 mOhm @ 6A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 33W |
标准包装 | 75 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 256pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 3.4nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
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