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规格书 |
![]() IXT(P,U,Y)02N50D |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Depletion Mode |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 200mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 25µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 120pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.1W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
供应商器件封装 | TO-251 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Depletion Mode |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 200mA (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 25µA |
封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
供应商设备封装 | TO-251 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.1W |
标准包装 | 75 |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 120pF @ 25V |
工厂包装数量 | 75 |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 0.2 A |
系列 | IXTU02N50 |
单位重量 | 0.056438 oz |
RDS(ON) | 30000 mOhms |
功率耗散 | 1100 mW |
安装风格 | SMD/SMT |
典型关闭延迟时间 | 28 ns |
上升时间 | 4 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 500 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 4 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
宽度 | 2.38 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
产品 | MOSFET Small Signal |
品牌 | IXYS |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
长度 | 6.73 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 30 Ohms |
通道模式 | Depletion |
身高 | 6.22 mm |
典型导通延迟时间 | 9 ns |
Pd - Power Dissipation | 1.1 W |
技术 | Si |
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