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规格书 |
![]() IXT(U,Y)01N80 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 800V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 100mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 50 Ohm @ 100mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4.5V @ 25µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 8nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 60pF @ 25V |
功率 - 最大 | 25W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
供应商器件封装 | TO-251 |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
包装宽度 | 2.38(Max) |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | IPAK |
包装高度 | 6.22(Max) |
安装 | Through Hole |
最大功率耗散 | 25000 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 50000@10V |
最低工作温度 | -55 |
最大漏源电压 | 800 |
每个芯片的元件数 | 1 |
标签 | Tab |
供应商封装形式 | TO-251AA |
包装长度 | 6.73(Max) |
PCB | 3 |
最大连续漏极电流 | 0.1 |
引脚数 | 3 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 100mA (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4.5V @ 25µA |
封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
供应商设备封装 | TO-251 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 50 Ohm @ 100mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 25W |
标准包装 | 50 |
漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 60pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 8nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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