图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXTU08N100P 

产品描述

MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds

内部编号

184-IXTU08N100P

生产厂商

IXYS

IXYS

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IXTU08N100P产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 1000V (1kV)
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 8A
Rds(最大)@ ID,VGS -
VGS(TH)(最大)@ Id -
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
功率 - 最大 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装 TO-251
包装材料 Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8A (Tc)
封装/外壳 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商设备封装 TO-251
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
标准包装 75
漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV)

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