IXTU05N100

产品描述

MOSFET 0.5 Amps 1000V

内部编号

生产厂商

数量:23

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美国加州
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规格书	IXT(U,Y)05N100
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	75
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	1000V (1kV)
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	750mA
Rds（最大）@ ID，VGS	17 Ohm @ 375mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	7.8nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	260pF @ 25V
功率 - 最大	40W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装	TO-251
包装材料	Tube
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	750mA (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4.5V @ 250µA
封装/外壳	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商设备封装	TO-251
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	17 Ohm @ 375mA, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	40W
标准包装	75
漏极至源极电压（Vdss）	1000V (1kV)
输入电容（Ciss ） @ VDS	260pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	7.8nC @ 10V
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 30 V
连续漏极电流	750 mA
系列	IXTU05N100
RDS（ON）	17 Ohms
安装风格	Through Hole
功率耗散	40 W
最低工作温度	- 55 C
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	1 kV
RoHS	RoHS Compliant
工厂包装数量	75
晶体管类型	1 N-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance	17 Ohms
品牌	IXYS
Id - Continuous Drain Current	750 mA
Pd - Power Dissipation	40 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1000 V
通道数	1 Channel
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
技术	Si

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