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厂商型号

IRG4RC10UDPBF 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

内部编号

176-IRG4RC10UDPBF

#1

数量:84
1+¥16.088
5+¥15.128
25+¥14.022
100+¥11.735
250+¥10.259
最小起订金额:¥1850
比利时布鲁塞尔
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:84
1+¥16.088
5+¥15.128
25+¥14.022
100+¥11.735
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IRG4RC10UDPBF产品详细规格

规格书 IRG4RC10UDPBF datasheet 规格书
IRG4RC10UDPBF datasheet 规格书
文档 IRG4RC10UD Spice Model
IRG4RC10UD Saber Model
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A
- 集电极电流(Ic)(最大) 8.5A
功率 - 最大 38W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tube
包装 3DPAK
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 8.5 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Surface Mount
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 DPAK
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 8.5
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 DPAK
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 38000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 15nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 8.5A
安装类型 Surface Mount
开关能量 260µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 40ns/87ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.6V @ 15V, 5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 D-Pak
反向恢复时间(trr ) 28ns
封装 Tube
功率 - 最大 38W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
测试条件 480V, 5A, 100 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 34A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
身高 2.39mm
长度 6.73mm
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 DPAK
宽度 6.22mm
工厂包装数量 75
集电极 - 发射极饱和电压 2.6 V
连续集电极电流Ic最大 8.5 A
连续集电极电流在25 C 8.5 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 38 W
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 8.5 A
集电极 - 发射极电压 600 V
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 8.5 A
案例 DPAK
Transistor type IGBT
功率 38W
Collector-emitter voltage 600V
Multiplicity 1
Collector current 8.5A
Gross weight 0.43 g
Collective package [pcs] 75
spg 75

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