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厂商型号

IRG4RC10STRRPBF 

产品描述

IGBT Transistors 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT

内部编号

176-IRG4RC10STRRPBF

订购说明

质量保障

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IRG4RC10STRRPBF产品详细规格

规格书 IRG4RC10STRRPBF datasheet 规格书
IRG4RC10SPbF
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 6,000
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A
- 集电极电流(Ic)(最大) 14A
功率 - 最大 38W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 DPAK
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 14
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 DPAK
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 38000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 15nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 14A
安装类型 Surface Mount
标准包装 6,000
开关能量 2.72mJ
时间Td(开/关) @ 25°C 25ns/630ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.8V @ 15V, 8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 D-Pak
功率 - 最大 38W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
测试条件 480V, 8A, 100 Ohm, 15V
其他名称 IRG4RC10STRRPBFTR
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 18A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 14 A
集电极 - 发射极电压 600 V
安装 Surface Mount
包装类型 DPAK
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
案例 DPAK
Transistor type IGBT
功率 38W
Collector-emitter voltage 600V
Multiplicity 3000
Collector current 14A
Gross weight 0.43 g
Package type roll
Collective package [pcs] 3000
spg 3000

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