厂商型号:

IRG4BC10KPBF

芯天下内部编号:
176-IRG4BC10KPBF
生产厂商:

International Rectifier

microsemi
描述:
I
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
供应商封装形式 TO-220AB
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 9
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 38000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 19nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 9A
安装类型 Through Hole
标准包装 50
开关能量 260µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 11ns/51ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.62V @ 15V, 5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220AB
封装 Tube
功率 - 最大 38W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
测试条件 480V, 5A, 100 Ohm, 15V
其他名称 *IRG4BC10KPBF
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 18A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
集电极 - 发射极饱和电压 2.62 V
连续集电极电流在25 C 9 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 38 W
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
RoHS RoHS Compliant
案例 TO220AB
Transistor type IGBT
功率 38W
Collector-emitter voltage 600V
Multiplicity 1
Collector current 9A
Gross weight 2.87 g
安装 THT
Collective package [pcs] 150
spg 150

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