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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MMBT 2222A LT1 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A

内部编号

173-MMBT-2222A-LT1

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:21000
3000+¥0.235
6000+¥0.204
15000+¥0.174
30000+¥0.148
75000+¥0.13
150000+¥0.113
最小起订量:3000
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:40177
1+¥1.2992
10+¥1.1898
100+¥0.4171
1000+¥0.2803
3000+¥0.212
9000+¥0.1846
24000+¥0.1641
45000+¥0.1504
90000+¥0.1231
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:22836
1+¥3.09
10+¥2.041
25+¥1.329
100+¥0.886
250+¥0.576
500+¥0.408
1000+¥0.282
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MMBT 2222A LT1产品详细规格

规格书 MMBT 2222A LT1 datasheet 规格书
MMBT,SMBT2222A
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大 330mW
频率转换 300MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 NPN
集电极 - 基极电压VCBO 75 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 40 V
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
集电极最大直流电流 0.6 A
增益带宽产品fT 300 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 35 at 100 uA at 10 V
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23
最大功率耗散 330 mW
最低工作温度 - 65 C
封装 Reel
零件号别名 MMBT2222ALT1HTSA1 MMBT2222ALT1XT SP000011174
电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 50mA, 500mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
功率 - 最大 330mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 MMBT2222ALT1INDKR
系列 MMBT2222
工厂包装数量 45000
宽度 1.3 mm
品牌 Infineon Technologies
长度 2.9 mm
连续集电极电流 600 mA
集电极 - 发射极饱和电压 1 V
身高 1 mm
Pd - Power Dissipation 330 mW

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