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厂商型号

MMBT200_Q 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Transistor General Purpose

内部编号

3-MMBT200-Q

#1

数量:80
1+¥0.193
25+¥0.161
100+¥0.155
250+¥0.148
3000+¥0.148
最小起订量:1
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MMBT200_Q产品详细规格

Status Active
封装 Reel
增益带宽产品fT 250 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 6 V
最大功率耗散 350 mW
直流集电极/增益hfe最小值 100
直流电流增益hFE最大值 450
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 45 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO - 60 V
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-23
集电极最大直流电流 0.5 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS No
连续集电极电流 - 0.5 A

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