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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MMBT123S-7 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 18V 300mW

内部编号

110-MMBT123S-7

生产厂商

Diodes Inc.

diodes

#1

数量:755
1+¥2.5844
10+¥1.8999
100+¥1.0757
500+¥0.7123
最小起订量:1
美国费城
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#2

数量:321
最小起订量:1
加拿大温哥华
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#3

数量:321
最小起订量:1
加拿大温哥华
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MMBT123S-7产品详细规格

规格书 MMBT123S-7 datasheet 规格书
MMBT123S
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 18V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 30mA, 300mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 150 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 300mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 1
最小直流电流增益 150@100mA@1V
欧盟RoHS指令 Not Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 300
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 45
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 18
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 30mA, 300mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 18V
供应商设备封装 SOT-23-3
功率 - 最大 300mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 150 @ 100mA, 1V
其他名称 MMBT123SDITR
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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