图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 50V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 130mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 10 Ohm @ 100mA, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 45pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SOT-23 |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 50 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.13 A |
| RDS -于 | 10000@5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 130mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 其他名称 | BSS84DITR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 10 Ohm @ 100mA, 5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 45pF @ 25V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | - 130 mA |
| 正向跨导 - 闵 | 0.05 S |
| 单位重量 | 0.000289 oz |
| RDS（ON） | 10 Ohms |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 50 V |
| RoHS | No |
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