图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSS84P L6433 

产品描述

MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR

内部编号

173-BSS84P-L6433

生产厂商

Infineon Technologies

INFINEON

#1

期货
10000 ¥0.192

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSS84P L6433产品详细规格

规格书 BSS84P L6433 datasheet 规格书
BSS84P Datasheet
文档 Multiple Devices 25/Nov/2011
产品更改通知 Product Discontinuation 25/Nov/2011
标准包装 10,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 170mA
Rds(最大)@ ID,VGS 8 Ohm @ 170mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 20µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 1.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 19pF @ 25V
功率 - 最大 360mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
P( TOT ) 0.36W
匹配代码 BSS84P L6433
包装 SOT23
单位包 10000
标准的提前期 14 weeks
最小起订量 10000
极化 P-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我(D ) 0.17A
V( DS ) 60V
R( DS上) 8Ohm
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 170mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 20µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
标准包装 10,000
供应商设备封装 PG-SOT23-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 8 Ohm @ 170mA, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 360mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 19pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 1.5nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

BSS84P L6433系列产品

BSS84P L6433相关搜索

订购BSS84P L6433.产品描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR. 生产商: Infineon Technologies.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149028
    010-62178861
    010-56429953
    010-62153988
    010-82149488
    010-82138869
    15810325240
    010-82149921
    010-62155488
    010-62165661
    010-82149466
    010-82149008
    010-57196138
    010-56429923
  • 深圳
  • 0755-83247615
    0755-82511472
    0755-83997440
    0755-83975736
  • 苏州
  • 0512-67684200
    0512-67483580
    0512-67687578
    0512-68796728
    0512-67683728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com