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STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.- 分立IGBT

意法半导体公司（STMicroelectronics N.V.）成立于1987年，由意大利SGS微电子公司和法国汤姆逊半导体公司合并而成。公司总部位于瑞士日内瓦，并于1994年上市，在纽约证券交易所、泛欧巴黎证券交易所和米兰证券交易所挂牌交易。ST是全球最大的半导体公司之一，业务涵盖汽车、工业、个人电子和通信基础设施等领域。公司提供极为广泛的产品组合，核心产品包括微控制器（MCU）、模拟芯片、功率器件和传感器等。在MCU领域，STM32系列是业界最知名的32位微控制器，广泛应用于嵌入式系统。模拟产品方面，ST提供运算放大器、比较器和数据转换器，电源管理芯片包括各类电压调节器和电机驱动器。在功率器件上，ST拥有MOSFET、IGBT和碳化硅（SiC）等先进产品，支持高效能电源转换。传感器产品线包括MEMS加速度计、陀螺仪、环境传感器以及飞行时间（ToF）测距传感器。ST技术实力雄厚，拥有强大的研发和制造能力，在全球半导体市场中占据重要地位。根据营收排名，ST常年位列全球半导体前十，并在汽车IC、MEMS传感器和通用MCU等领域保持市场领先。

03

分立IGBT - 型号列表

共 2,740 个型号

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

峰值脉冲电流（10/1000µs）

最大功率

首抽头延迟

最大功耗

传播延迟（最大）

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs

开关时间（Ton, Toff）（最大）

连续漏极电流（Id）@ 25°C

导通电阻（最大）

输入电容（Ciss）（最大）@ Vds

封装形式

其他名称

额定功率

击穿电压

集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic

漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）

包装数量

供应商器件封装

标准封装名称

下降时间

下降时间（典型）

上升时间（典型）

Vgs(th)（最大）@ Id

漏源电压（Vdss）

宽度

电流传输比（最小）

冷却的封装

工作温度

每端口功率（瓦）

匹配码

工厂包装数量

最大额定电流

外壳尺寸-插件

供电电压 (Vcc/Vdd)

高度

长度

技术

热阻 @ GPM

最大栅源电压 Vgs

导通电阻 RDS(On)

触点电压（最大）

漏电流（最大）

重量

标准包装数量

FET类型

FET特性

晶体管类型

阈值电压

栅极触发电压 Vgt (最大)

包装方式

总长度

极性

通道类型

印刷电路板数量

最小起订量

单位包装

尺寸/外形

栅极电荷

产品类别

海关税号

额定输出功率

元件数量

Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic

引脚样式

端接方式

安装类型

安装样式

材料表面处理

位数

配置

逻辑类型

标准交期

系列

频率

开关能量

供电电压

Td（开/关）@ 25°C

反向恢复时间（trr）

集电极电流（Ic）（最大）

集电极截止电流（最大）

集电极脉冲电流 (Icm)

测试条件

平均正向功率

制造商零件编号库存价格标准包装数量最大栅源电压 Vgs安装类型封装形式通道类型工作温度击穿电压峰值脉冲电流（10/1000µs）开关时间（Ton, Toff）（最大）RoHS导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs包装方式供应商器件封装最大功率传播延迟（最大）标准封装名称欧盟RoHS首抽头延迟最大功耗栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs引脚样式包装数量位数FET类型FET特性Vgs(th)（最大）@ Id漏源电压（Vdss）输入电容（Ciss）（最大）@ Vds连续漏极电流（Id）@ 25°C产品类别下降时间（典型）元件数量集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic导通电阻（最大）安装样式配置其他名称工厂包装数量额定功率晶体管类型宽度下降时间上升时间（典型）栅极触发电压 Vgt (最大)漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）总长度外壳尺寸-插件印刷电路板数量技术冷却的封装电流传输比（最小）重量极性最小起订量单位包装汽车级无铅定义每端口功率（瓦）高度长度匹配码标准交期抗辐射加固额定输出功率最大额定电流Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic插片宽度类型逻辑类型供电电压 (Vcc/Vdd)热阻 @ GPMSVHC海关税号噪声系数最大频率阈值电压导通电阻 RDS(On)触点电压（最大）漏电流（最大）端接方式引脚数材料表面处理尺寸/外形卡标准系列栅极电荷供电电压频率输入类型开关能量Td（开/关）@ 25°C最小输入电压反向恢复时间（trr）集电极电流（Ic）（最大）集电极截止电流（最大）集电极脉冲电流 (Icm)测试条件通道数量平均正向功率制造商全称已删除峰值脉冲电流（8/20µs）SPG单元数量二极管配置Vce饱和电压（最大）开通延迟时间关断延迟时间电流传输比（最大）极化结工作温度增益测试电压额定电压输出电流
STW20NM60
3
STW20NM60

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp MOSFET, N CH, 600V, 20A, TO-247

stmicroelectronics

761: ¥19.362Rail / Tube±30 VThrough Hole3TO-247Enhancement-65 to 150 °C600 V20 A25 nsLead free / RoHS Compliant290@10V mOhmTubeTO-247-3192W20 nsTO-247Compliant42 ns:192W54nC @ 10VThrough HoleTO-2473MOSFET N-Channel, Metal OxideStandard5V @ 250µA600V1500pF @ 25V20A (Tc)MOSFET11 ns1600 V0.29 ohmThrough HoleSingle497-3263-530192 WN-Channel5.15(Max)11 ns20 ns+/- 30 V20 A15.75(Max)20.15(Max)3-TO-247-0.0002N---------NoNot Required dB:20ANot Required %TabPower MOSFET---:No SVHC (20-Jun-2013)85423300Not Required dBNot Required MHz:4V:250mohm:600V20 A:Through Hole:3:-------------------Compliant--------------
STD5NK40ZT4
7
STD5NK40ZT4

Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R N-CH 400V 4A 1800mOhm TO252-3 MOSFET N-CH 400V 3A DPAK STD5NK40ZT4, N-channel MOSFET Transistor, 3A 400V, 3-Pin TO-252 MOSFET N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH MOSFET, N, D-PAK Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; 45W; DPAK STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 3 A, Vds=400 V, 3针 TO-252封装

stmicroelectronics

491: ¥4.662Tape & Reel±30 VSurface Mount3DPAKEnhancement-55 to 150 °C400 V3 A9.2 nsLead free / RoHS Compliant1800@10V mOhmTape and ReelD-Pak45W6 nsDPAKCompliant22.5 ns45 W17nCGull-wingDPAK3MOSFET N-Channel, Metal OxideStandard4.5V @ 50µA400V305pF @ 25V3A (Tc)MOSFET11 ns1400 V1.8 ΩSMD/SMTSingle497-2477-2250045 WN-Channel6.2mm11 ns6 ns+/- 30 V4.0A---SuperMESHTO-2522.2 S0.00031unipolar25002500NORoHS-conform45W2.4mm6.6mmSTD5NK40ZT410 weeks--:3A---NO400V2.77K/W:No SVHC (20-Jun-2013)85412900--:3.75V:1.8ohm:400V-:SMD:3:MSL 1 - Unlimited6.6 x 6.2 x 2.4mmPower MOSFET-----------------:12A1001-----------
STS8DNF3LL
2
STS8DNF3LL

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

stmicroelectronics

101: ¥17.577Tape & Reel±16 VSurface Mount8SO NEnhancement-55 to 150 °C30 V8 A18 nsLead free / RoHS Compliant20@10V mOhmTape and Reel8-SO1.6W32 nsSOICCompliant21 ns200017nC @ 5VGull-wingSO N82 N-Channel (Dual)Logic Level Gate1V @ 250µA30V800pF @ 25V8A-11 ns2-20@10V--497-2470-2---4(Max)----5(Max)1.65(Max)8------------------------------------STripFET™------------------------------
STGD6NC60HDT4
2
STGD6NC60HDT4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IGBT 600V 15A 1,9V TO252-3 IGBT 600V 15A 56W DPAK IGBT Transistors PowerMESH IGBT Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R IGBT Transistors PowerMESH" IGBT

stmicroelectronics

501: ¥6.8315Cut Tape±20 VSurface Mount3DPAKN- 55 C--12nSLead free / RoHS Compliant-Tape and ReelD-Pak56W-DPAKCompliant-56000100 nAGull-wingDPAK3------IGBT Transistors--600V-SMD/SMTSingle497-5112-2250050 W---------PowerMESH----25002500NORoHS-conform56W--STGD6NC60HDT410 weeks---1.9V-------------------13.6nC600V5nSStandard88µJ76nS600 V21ns15A15 A21A390V, 3A, 10 Ohm, 15V-------YES1.9 V---------
STS5PF30L
4
STS5PF30L

Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R P-CH 30V 5A 55mOhm SO-8 MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC STS5PF30L, P-channel MOSFET Transistor 5A 30V, 8-Pin SO MOSFET P-Ch 30 Volt 5 Amp MOSFET,Power;P-Ch;VDSS30V;RDS(ON)0.045Ohm;ID5A;SO-8;PD2.5W;VGS+/-16V;gFS1 STMicroelectronics , P沟道 MOSFET, 5 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装

stmicroelectronics

32701: ¥7.004Tape & Reel±16 VSurface Mount8SO NP-55 to 150 °C30 V5 A25 nsLead free / RoHS Compliant80@10V mOhmTape and Reel8-SO2.5W35 nsSOICCompliant125 ns2.5 W16nCGull-wingSO N8MOSFET P-Channel, Metal OxideLogic Level Gate2.5V @ 250µA30V1350pF @ 25V5A (Tc)MOSFET-1- 30 V0.08 ΩSMD/SMTQuad Drain, Single, Triple Source497-3231-225002.5 WP-Channel4mm35 ns35 ns+/- 16 V-5A5(Max)1.65(Max)8StripFETSO13 S0.002998 ozP25002500NORoHS-conform2.5W1.25mm5mmSTS5PF30L10 weeksNoNot Required dB-Not Required %-Power MOSFETYES-30Vn.s.K/W--Not Required dBNot Required MHz---5 A---5 x 4 x 1.25mmPower MOSFET--1.2V-------------------25ns125ns10SP-Channel+150°C----
STGP19NC60WD
2
STGP19NC60WD

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IGBT 600V 40A 125W TO220 IGBT Transistors N Ch 600V 19A

stmicroelectronics

101: ¥15.164Rail / Tube±20 VThrough Hole3TO-220N- 55 C---Lead free / RoHS Compliant-TubeTO-220AB125W-TO-220Compliant-125000-Through HoleTO-2203------IGBT Transistors--2.5V @ 15V, 12A-Through HoleSingle497-6027-51000--4.6(Max)----10.4(Max)9.15(Max)3------------------Tab------------------53nC600V-Standard206µJ25ns/90ns600 V31ns40A40 A35A390V, 12A, 10 Ohm, 15V------------------
STB11NM60-1
STB11NM60-1

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp

stmicroelectronics

101: ¥21.012Rail / Tube±30 VThrough Hole3I2PAKEnhancement-65 to 150 °C600 V11 A20 nsLead free / RoHS Compliant450@10V mOhmTubeI2PAK160W-I2PAKCompliant6 ns16000030nC @ 10VThrough HoleI2PAK3MOSFET N-Channel, Metal OxideStandard5V @ 250µA650V1000pF @ 25V11A (Tc)MOSFET11 ns1600 V450@10VSMD/SMTSingle-50160 WN-Channel-11 ns20 ns+/- 30 V11 A-----5.2 S0.050717 oz---------------------------------------------------------------
STB80NE03L-06-1
STB80NE03L-06-1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

stmicroelectronics

-Rail / Tube±20 VThrough Hole3I2PAKEnhancement-55 to 175 °C30 V80 A40 ns-6@10V mOhm---260 ns---------------165 ns------------------------------------------------------------------------------------
STS4DNFS30L
STS4DNFS30L

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC

stmicroelectronics

102500: ¥3.4564Tape & Reel±16 VSurface Mount8SO NEnhancement-55 to 150 °C30 V4 A11 nsLead free / RoHS Compliant55@10V mOhmTape and Reel8-SO2W100 nsSOICCompliant25 ns20009nC @ 5VGull-wingSO N8MOSFET N-Channel, Metal OxideDiode (Isolated)1V @ 250µA30V330pF @ 25V4A (Tc)-22 ns1-55@10V--497-3227-2---4(Max)----5(Max)1.65(Max)8-------------------------------------------------------------------
STB80NF03L-04T4
2
STB80NF03L-04T4

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp

stmicroelectronics

531: ¥32.64Tape & Reel±20 VSurface Mount3D2PAKEnhancement-65 to 175 °C30 V80 A30 nsLead free / RoHS Compliant4@10V mOhmTape and ReelD2PAK300W270 nsD2PAKCompliant110 ns300000110nC @ 4.5VGull-wingD2PAK3MOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate1V @ 250µA30V5500pF @ 25V80A (Tc)MOSFET95 ns130 V0.004 ohmSMD/SMTSingle497-7952-61000300 WN-Channel9.35(Max)95 ns270 ns+/- 20 V80 A10.4(Max)4.6(Max)2SiD2PAK50 S-N-----4.6 mm10.4 mm--NoNot Required dB-Not Required %TabPower MOSFET-----Not Required dBNot Required MHz---80 A-----N-channel STripFET------------1 Channel300 WSTMicroelectronics---------------
STF16NF25
5
STF16NF25

Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube N-CH 250V 13A 235mOhm TO220FP MOSFET N-CH 250V 14A TO-220FP STF16NF25, N-channel MOSFET Transistor, 14A 250V, 3-Pin TO-220FP MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 14 A, Vds=250 V, 3针 TO-220FP封装

stmicroelectronics

2821: ¥13.056Rail / Tube±20 VThrough Hole3TO-220FPEnhancement-55 to 150 °C250 V14 A9 nsLead free / RoHS Compliant235@10V mOhmTubeTO-220FP25W17 nsTO-220FCompliant35 ns25 W18nCThrough HoleTO-220FP3MOSFET N-Channel, Metal OxideStandard4V @ 250µA250V680pF @ 25V14A (Tc)MOSFET-1250 V0.235 ΩThrough HoleSingle--25 WN-Channel4.6mm17 ns17 ns+/- 20 V13A10.4(Max)16.4(Max)3STripFETTO-220FP---200050NORoHS-conform25W16.4mm10.4mmSTF16NF2510 weeks----Tab-NO250V5K/W-----------10.4 x 4.6 x 16.4mmPower MOSFET-------------------------------
PD57002S
PD57002S

Trans MOSFET N-CH 65V 0.25A 4-Pin(2+2Tab) PowerSO-10RF (Straight lead)

stmicroelectronics

-Rail / Tube±20 VSurface Mount4PowerSO-10RF (Straight lead)Enhancement-65 to 165 °C65 V0.25 A-----------------------------------------------------------------------------------------------------------
STB11NK50ZT4
4
STB11NK50ZT4

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R N-CH 500V 10A 520mOhm TO263-3 MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH MOSFET, N CH, 500V, 10A, D2PAK

stmicroelectronics

3301: ¥2.40Tape & Reel±30 VSurface Mount3D2PAKEnhancement-55 to 150 °C500 V10 A14.5 nsLead free / RoHS Compliant520@10V mOhmTape and ReelD2PAK125W18 nsD2PAKCompliant41 ns:125W68nCGull-wingD2PAK3MOSFET N-Channel, Metal OxideStandard4.5V @ 100µA500V1390pF @ 25V10A (Tc)MOSFET15 ns1500 V520@10VSMD/SMTSingle497-2451-21000125 WN-Channel9.35(Max)15 ns18 ns+/- 30 V10A10.4(Max)4.6(Max)2SuperMESH-77 S0.0002-10001000NORoHS-conform125W--STB11NK50ZT414 weeks--:10A-Tab-NO500V1K/W:No SVHC (20-Jun-2013)85412900--:3.75V:480mohm:500V-:SMD:3:MSL 1 - Unlimited---49 nC-----------------------------
STB20PF75T4
STB20PF75T4

Trans MOSFET P-CH 75V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

stmicroelectronics

-Tape & Reel±20 VSurface Mount3D2PAKP-55 to 175 °C75 V20 A20 ns-120@10V mOhm---51 ns--40 ns------------13 ns------------------------------------------------------------------------------------
STP13NK62Z
STP13NK62Z

MOS 600V 0.43 OHM

stmicroelectronics

--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
PD55003
PD55003

Trans MOSFET N-CH 40V 2.5A 4-Pin(2+2Tab) PowerSO-10RF (Formed lead) IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10

stmicroelectronics

101: ¥55.76Rail / Tube±20 VSurface Mount4PowerSO-10RF (Formed lead)Enhancement-65 to 165 °C40 V2.5 A-Lead free / RoHS Compliant-Tube10-PowerSO--------------------------LDMOS-----------------------3W2.5A----------------------500MHz-----------------------17dB12.5V40V50mA
STB160NF3LLT4
STB160NF3LLT4

Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

stmicroelectronics

101000: ¥10.9956Tape & Reel±15 VSurface Mount3D2PAKEnhancement-55 to 175 °C30 V160 A50 nsLead free / RoHS Compliant3@10V mOhmTape & Reel (TR)D2PAK300W350 ns--150 ns-110nC @ 4.5V---MOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate1V @ 250µA30V5500pF @ 25V160A (Tc)-120 ns------------------------------------------------------------------------------------
STD12NF06L-1
STD12NF06L-1

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube MOSFET N-CH 60V 12A IPAK MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp

stmicroelectronics

55602780: ¥2.5391Rail / Tube±16 VThrough Hole3IPAKEnhancement-55 to 175 °C60 V12 A10 nsLead free / RoHS Compliant100@10V mOhmTubeI-Pak30W35 nsIPAKCompliant20 ns3000010nC @ 5VThrough HoleIPAK3MOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate2V @ 250µA60V350pF @ 25V12A (Tc)MOSFET13 ns160 V0.1 ohmThrough HoleSingle-7530 WN-Channel-13 ns35 ns+/- 16 V12 A---SiIPAK7 S-N-----6.2 mm6.6 mm--No----Power MOSFET----------------N-channel STripFET------------1 Channel30 WSTMicroelectronics---------------
STD35NF06LT4
6
STD35NF06LT4

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R N-CH 60V 35A 17mOhm TO252-3 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK STD35NF06LT4, N-channel MOSFET Transistor 35A 60V, 3-Pin TO-252 MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp MOSFET, N CH, 60V, 35A, DPAK MOSFETN35A60VTO252 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 35 A, Vds=60 V, 3针 TO-252封装

stmicroelectronics

25002500: ¥4.2724Tape & Reel±15 VSurface Mount3TO-252Enhancement-55 to 175 °C60 V35 A20 nsLead free / RoHS Compliant17@10V mOhmTape and ReelD-Pak80W100 nsDPAKCompliant40 ns80 W33nCGull-wingTO-2523MOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate1V @ 250µA60V1700pF @ 25V35A (Tc)MOSFET-160 V0.017 ΩSMD/SMTSingle497-7965-1250080 WN-Channel6.2mm20 ns100 ns+/- 16 V35A---StripFETTO-25228 S0.0002N25002500NORoHS-conform80W2.4mm6.6mmSTD35NF06LT410 weeksNoNot Required dB:35ANot Required %-Power MOSFETYES60V1.88K/W:No SVHC (20-Jun-2013)85412900Not Required dBNot Required MHz:1V:14mohm:60V35 A:SMD:3:MSL 1 - Unlimited6.6 x 6.2 x 2.4mmPower MOSFET-------------------------------
STD7NB20
STD7NB20

Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

stmicroelectronics

-Rail / Tube±30 VSurface Mount3DPAKEnhancement-65 to 150 °C200 V7 A10 ns-400@10V mOhm---15 ns----------------------------------------------------------------------------------------------------
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