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STD12NF06L-1
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube MOSFET N-CH 60V 12A IPAK MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp |
| 分类 |
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商业参数
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 75 | 标准封装名称 | IPAK |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 13 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 30W | 额定功率 | 30 W |
| 下降时间（典型） | 13 ns | 上升时间（典型） | 35 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 20 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA | 击穿电压 | 60 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 100@10V mOhm | 平均正向功率 | 30 W |
| 最大功耗 | 30000 | 传播延迟（最大） | 35 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V | 导通电阻（最大） | 0.1 ohm |
| 电流传输比（最小） | 7 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10 ns | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 12 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 16 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 12 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 350pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 12A (Tc) | ||
机械参数
| 高度 | 6.2 mm | 长度 | 6.6 mm |
| 包装方式 | Tube | 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3IPAK | 冷却的封装 | IPAK |
| 包装数量 | IPAK | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | I-Pak | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 系列 | N-channel STripFET |
| 极性 | N | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 175 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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