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STS4DNFS30L

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STS4DNFS30L

制造商
描述
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
分类
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商业参数

其他名称497-3227-2标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称SOIC

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±16 V
FET特性Diode (Isolated)最大功率2W
下降时间(典型)22 ns首抽头延迟25 ns
元件数量1Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA
击穿电压30 V导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs55@10V mOhm
最大功耗2000传播延迟(最大)100 ns
导通电阻(最大)55@10V栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs9nC @ 5V
开关时间(Ton, Toff)(最大)11 ns漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)4 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds330pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C4A (Tc)

机械参数

宽度4(Max)包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing安装类型Surface Mount
封装形式8SO N总长度5(Max)
包装数量SO N位数8
外壳尺寸-插件1.65(Max)供应商器件封装8-SO

产品信息

通道类型Enhancement印刷电路板数量8

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

文档与媒体

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