图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 STx(I)6N62K3 |
| 文档 |
STFI6N62K3 View All Specifications |
| 其他相关文件 | STFI6N62K3 View All 规格 |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 620V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 34nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 875pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| 供应商器件封装 | I2PAKFP |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16424?mpart=STFI6N62K3&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 620V |
| 供应商设备封装 | I2PAKFP (281) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 标准包装 | 50 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 875pF @ 50V |
| 其他名称 | 497-13269-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 34nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 5.5 A |
| RDS（ON） | 950 mOhms |
| 功率耗散 | 30 W |
| 商品名 | SuperMESH |
| 封装/外壳 | I2PAKFP |
| 栅极电荷Qg | 34 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 49 ns |
| 上升时间 | 12 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 620 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 620 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.75 V |
| Qg - Gate Charge | 34 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 5.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 950 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | N-channel MDmesh |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| 技术 | Si |
STFI6N62K3也可以通过以下分类找到
STFI6N62K3相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
