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| 规格书 |
 STFI26NM60N |
| 文档 |
STFI26NM60N View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STFI26NM60N View All Specifications |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 20A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 165 mOhm @ 10A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 60nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1800pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | I²Pak Full Pak |
| 供应商器件封装 | I2PAKFP |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | I2PAKFP (281) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 165 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 标准包装 | 50 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1800pF @ 50V |
| 其他名称 | 497-12860-5 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 60nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 20 A |
| RDS（ON） | 165 mOhms |
| 功率耗散 | 30 W |
| 封装/外壳 | I2PAK |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| 系列 | N-channel MDmesh |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 技术 | Si |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 165 mOhms |
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