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规格书 |
STx(I)4N62K3 |
文档 |
STFI4N62K3 View All Specifications |
其他相关文件 | STFI4N62K3 View All 规格 |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 620V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 3.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2 Ohm @ 1.9A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4.5V @ 50µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 22nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 550pF @ 50V |
功率 - 最大 | 25W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
供应商器件封装 | I2PAKFP |
包装材料 | Tube |
动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16424?mpart=STFI4N62K3&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3.8A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4.5V @ 50µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 620V |
供应商设备封装 | I2PAKFP (281) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2 Ohm @ 1.9A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 25W |
标准包装 | 50 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 550pF @ 50V |
其他名称 | 497-13268-5 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 22nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
安装风格 | Through Hole |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流 | 3.8 A |
RDS(ON) | 1.7 Ohms |
功率耗散 | 25 W |
商品名 | SuperMESH |
封装/外壳 | I2PAKFP |
栅极电荷Qg | 22 nC |
典型关闭延迟时间 | 29 ns |
上升时间 | 9 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 620 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 19 ns |
工厂包装数量 | 1500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 620 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.75 V |
Qg - Gate Charge | 22 nC |
品牌 | STMicroelectronics |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 3.8 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.7 Ohms |
通道模式 | Enhancement |
系列 | N-channel MDmesh |
Pd - Power Dissipation | 25 W |
技术 | Si |
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