标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 2.2A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2.7 Ohm @ 1.1A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 8nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 250pF @ 25V |
功率 - 最大 | 32W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220F |
渠道类型 | P |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 200 V |
最大连续漏极电流 | 2.2 A |
RDS -于 | 2700@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 8.5 ns |
典型上升时间 | 35 ns |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
典型下降时间 | 25 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220F |
最低工作温度 | -55 |
封装 | Rail |
最大漏源电阻 | 2700@10V |
最大漏源电压 | 200 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-220F |
最大功率耗散 | 32000 |
最大连续漏极电流 | 2.2 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2.2A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
供应商设备封装 | TO-220F |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2.7 Ohm @ 1.1A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 32W |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 250pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 8nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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