标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 250V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 2.3A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2.2 Ohm @ 1.15A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 5.2nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 170pF @ 25V |
功率 - 最大 | 27W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220F |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 250 V |
最大连续漏极电流 | 2.3 A |
RDS -于 | 2200@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 6.6 ns |
典型上升时间 | 25 ns |
典型关闭延迟时间 | 5.5 ns |
典型下降时间 | 20 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±30 |
包装宽度 | 4.7 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 27000 |
最大漏源电压 | 250 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 2200@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-220F |
标准包装名称 | TO-220F |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 10.16 |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 15.87 |
最大连续漏极电流 | 2.3 |
封装 | Rail |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2.3A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 250V |
供应商设备封装 | TO-220F |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2.2 Ohm @ 1.15A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 27W |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 170pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 5.2nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
类型 | MOSFET |
下降时间 | 20 ns |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | QFET |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 闵 | 1.4 S |
Id - Continuous Drain Current | 2.3 A |
长度 | 10.36 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.2 Ohms |
RoHS | RoHS Compliant |
系列 | FQPF3N25 |
身高 | 16.07 mm |
安装风格 | Through Hole |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 27 W |
上升时间 | 25 ns |
技术 | Si |
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