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Thumbnail FQPF33N10 Thumbnail FQPF33N10
厂商型号:

FQPF33N10

芯天下内部编号:
3-FQPF33N10
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220F
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 18 A
RDS -于 52@10V mOhm
最大门源电压 ±25 V
典型导通延迟时间 15 ns
典型上升时间 195 ns
典型关闭延迟时间 80 ns
典型下降时间 110 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±25
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 TO-220F
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Rail
Maximum Drain Source Resistance 52@10V
最大漏源电压 100
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-220F
最大功率耗散 41000
最大连续漏极电流 18
引脚数 3
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 18A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
供应商设备封装 TO-220F
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 52 mOhm @ 9A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 41W
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
输入电容(Ciss ) @ VDS 1500pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 51nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 18 A
零件号别名 FQPF33N10_NL
下降时间 110 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.080072 oz
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
正向跨导 - 闵 20 S
RoHS RoHS Compliant By Exemption
源极击穿电压 +/- 25 V
系列 FQPF33N10
RDS(ON) 52 mOhms
安装风格 Through Hole
功率耗散 41 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 195 ns
漏源击穿电压 100 V
栅源电压(最大值) �25 V
漏源导通电阻 0.052 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 TO-220F
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 100 V
弧度硬化 No
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
宽度 4.9 mm
Vgs - Gate-Source Voltage 25 V
品牌 Fairchild Semiconductor
通道数 1 Channel
商品名 QFET
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 18 A
长度 10.36 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 52 mOhms
身高 16.07 mm
Pd - Power Dissipation 41 W
技术 Si

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