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CSD17302Q5A

制造商	Texas Instruments Incorporated
描述	Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 30V 87A 8SON MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET MOSFET, N CH, 30V, 87A, 8SON 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET
分类	分立半导体元件IGBT分立IGBT

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商业参数

商标名	NexFET	其他名称	296-25854-2
产品类别	MOSFET	标准包装数量	Tape & Reel
工厂包装数量	2500

合规参数

RoHS	Contains lead / RoHS compliant by exemption	SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant	海关税号	85412900
零件状态	ACTIVE	抗辐射加固	No

电气参数

FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	最大栅源电压 Vgs	10 V
FET特性	Standard	栅极电荷	5.4 nC
最大功率	3W	噪声系数	Not Required dB
额定功率	3 W	额定输出功率	Not Required dB
下降时间（典型）	3.1 ns	最大频率	Not Required MHz
晶体管类型	N-Channel	首抽头延迟	10.6 ns
元件数量	1	Vgs(th)（最大）@ Id	1.7V @ 250µA
击穿电压	30 V	阈值电压	:1.2V
最大额定电流	:87A	导通电阻 RDS(On)	:6.4mohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	7.9@8V mOhm	最大功耗	:3W
传播延迟（最大）	8.4 ns	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	30 V
漏电流（最大）	16 A	逻辑电压 - VIL, VIH	Yes
导通电阻（最大）	7.9@8V	电流传输比（最小）	68 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	7nC @ 4.5V	峰值脉冲电流（8/20µs）	104
开关时间（Ton, Toff）（最大）	5.2 ns	Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	30V	峰值脉冲电流（10/1000µs）	16 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	10 V	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	87 A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	950pF @ 15V	连续漏极电流（Id）@ 25°C	16A (Ta), 87A (Tc)

机械参数

宽度	5.75	重量	0.0001
包装方式	Tape and Reel	安装类型	Surface Mount
安装样式	SMD/SMT	引脚数	:8
封装形式	8SON EP	冷却的封装	SON EP
材料表面处理	:MSL 1 - Unlimited	总长度	4.9
包装数量	SON EP	位数	8
外壳尺寸-插件	1	供应商器件封装	8-SON (5x6)

产品信息

类型	Power MOSFET	系列	CSD17302Q5A
已删除	Compliant	极性	N
软件	SLPS216A	通道类型	Enhancement
配置	Single	图案编号	Y
使用的IC/零件	View	其他规格	1.2
印刷电路板数量	8

环境参数

测试温度

-55 to 150

工作温度

-55 to 150 °C

文档与媒体

PDF 文档

CSD17302Q5A

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