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数量:100 |
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| 规格书 |
GB05SLT12-252 |
| 文档 |
GB05SLT12-252 Spice Model |
| 封装 | Bulk |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 20µA @ 1200V |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 2V @ 5A |
| 标准包装 | 50 |
| 电压 - （ Vr）（最大） | 1200V (1.2kV) |
| 热阻 | * |
| 电容@ Vr ，F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| 供应商设备封装 | TO-252 |
| 反向恢复时间（trr ） | 0ns |
| 工作温度 - 结 | * |
| 电流 - 平均整流（Io ） | 5A |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
| 最大二极管电容 | 20 pF |
| 正向电压下降 | 1.9 V |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 最大功率耗散 | 42 W |
| 正向连续电流 | 5 A |
| 最大反向漏泄电流 | 26 uA |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 峰值反向电压 | 1200 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 恢复时间 | 25 ns |
| 最大浪涌电流 | 32 A |
| 系列 | GB05SLT12 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| If - Forward Current | 5 A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 1200 V |
| Vf - Forward Voltage | 1.9 V |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| Ir - Reverse Current | 26 uA |
| trr - Reverse Recovery time | 25 ns |
| Pd - Power Dissipation | 42 W |
| Ifsm - Forward Surge Current | 32 A |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 技术 | SiC |
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