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厂商型号

GB05SLT12-220

产品描述

Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier

内部编号

生产厂商

数量:166

最小起订量:1
美国费城
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规格书	GB05SLT12-220
文档	GB05SLT12-220 Spice Model
封装	Tube
电流 - Vr时反向漏电	20µA @ 1200V
安装类型	Through Hole
电压 - 正向（Vf）（最大）	2V @ 5A
标准包装	50
电压 - （ Vr）（最大）	1200V (1.2kV)
热阻	*
电容@ Vr ，F	260pF @ 1V, 1MHz
供应商设备封装	TO-220AC
反向恢复时间（trr ）	0ns
工作温度 - 结	*
电流 - 平均整流（Io ）	5A
封装/外壳	TO-220-2
速度	No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型	Silicon Carbide Schottky
最大二极管电容	20 pF
正向电压下降	1.9 V
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
最大功率耗散	42 W
正向连续电流	5 A
最大反向漏泄电流	26 uA
工作温度范围	- 55 C to + 175 C
峰值反向电压	1200 V
安装风格	Through Hole
恢复时间	25 ns
最大浪涌电流	32 A
系列	GB05SLT12
工厂包装数量	50
封装/外壳	TO-220
RoHS	RoHS Compliant
二极管配置	:Single
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max	:1.2kV
Forward Current If(AV)	:5A
Forward Voltage VF Max	:1.8V
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:175°C
Diode Case Style	:TO-220
No. of Pins	:2
MSL	:-
Weight (kg)	0.002
Tariff No.	85411000
associated	SDA05S120 1399075-M MK3311 3223-07FR-43 Q3AC 300MMX300MM SHEET

型号	厂家	产品描述
GB05SLT12-247	GeneSiC Semiconductor	Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
GB05SLT12-252	GeneSiC Semiconductor
GB05XP120KTPBF	vishay / semiconductor	TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 12A 14PIN (13+TAB) LP

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