图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:1850 |
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最小起订量:20 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1909 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:259 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | - |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2550pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 65W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 26 A |
| RDS -于 | 6@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 典型上升时间 | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 典型下降时间 | 9 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 6800 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 6@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 2.39(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 26 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 26A (Ta), 50A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 65W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2550pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SUD50N02-06P-E3CT |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 30 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 6 mOhms |
| 功率耗散 | 8.3 W |
| 商品名 | TrenchFET |
| 上升时间 | 10 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 9 ns |
| 高度 | 2.38mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 6.73mm |
| 典型输入电容值@Vds | 2550 pF @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 9.5 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 65 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6.22mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns |
| 典型关断延迟时间 | 24 ns |
| 封装类型 | TO-252 |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
| 系列 | SUD |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 2.38 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 长度 | 6.73 mm |
| 零件号别名 | SUD50N02-06P |
| 技术 | Si |
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