规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
- |
Rds(最大)@ ID,VGS |
6 mOhm @ 30A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
600mV @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
130nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
6600pF @ 20V |
功率 - 最大 |
100W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
TO-252, (D-Pak) |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3DPAK |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
20 V |
最大连续漏极电流 |
30 A |
RDS -于 |
6@4.5V mOhm |
最大门源电压 |
±12 V |
典型导通延迟时间 |
25 ns |
典型上升时间 |
120 ns |
典型关闭延迟时间 |
80 ns |
典型下降时间 |
100 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
最大门源电压 |
±12 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
175 |
标准包装名称 |
DPAK |
最低工作温度 |
-55 |
渠道类型 |
N |
最大漏源电阻 |
6@4.5V |
最大漏源电压 |
20 |
每个芯片的元件数 |
1 |
供应商封装形式 |
DPAK |
最大功率耗散 |
8300 |
最大连续漏极电流 |
30 |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Gull-wing |
单位包 |
2000 |
最小起订量 |
2000 |
FET特点 |
Logic Level Gate |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
30A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
600mV @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
20V |
供应商设备封装 |
TO-252, (D-Pak) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
6 mOhm @ 30A, 4.5V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
100W |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
6600pF @ 20V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
130nC @ 4.5V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |