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厂商型号

SUD50N02-06-E3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 20V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

内部编号

5-SUD50N02-06-E3

#1

数量:4000
2000+¥13.975
最小起订金额:¥3000
马来西亚吉隆坡
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#2

数量:10000
140+¥14.0
最小起订量:1
马来西亚吉隆坡
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#3

数量:2000
1+¥37.305
10+¥32.424
100+¥26.178
200+¥22.781
最小起订量:1
马来西亚吉隆坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SUD50N02-06-E3产品详细规格

规格书 SUD50N02-06-E3 datasheet 规格书
SUD50N02-06-E3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C -
Rds(最大)@ ID,VGS 6 mOhm @ 30A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 600mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 130nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 6600pF @ 20V
功率 - 最大 100W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252, (D-Pak)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 30 A
RDS -于 6@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 25 ns
典型上升时间 120 ns
典型关闭延迟时间 80 ns
典型下降时间 100 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
最大漏源电阻 6@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DPAK
最大功率耗散 8300
最大连续漏极电流 30
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
单位包 2000
最小起订量 2000
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 30A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 600mV @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 TO-252, (D-Pak)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 6 mOhm @ 30A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 100W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
输入电容(Ciss ) @ VDS 6600pF @ 20V
闸电荷(Qg ) @ VGS 130nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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