1. SUD19P06-60L-E3
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厂商型号

SUD19P06-60L-E3 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

内部编号

5-SUD19P06-60L-E3

生产厂商

vishay / siliconix

vishay

#1

数量:26507
1+¥9.9187
10+¥8.8709
25+¥8.4211
100+¥6.9165
250+¥6.4659
500+¥5.7139
1000+¥4.511
最小起订量:1
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SUD19P06-60L-E3产品详细规格

规格书 SUD19P06-60L-E3 datasheet 规格书
SUD19P06-60L-E3 datasheet 规格书
SUD19P06-60L-E3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 19A
Rds(最大)@ ID,VGS 60 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 40nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1710pF @ 25V
功率 - 最大 2.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252, (D-Pak)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 19 A
RDS -于 60@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 8 ns
典型上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 65 ns
典型下降时间 30 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Rail / Tube
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
最大漏源电阻 60@10V
最大漏源电压 60
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 DPAK
最大功率耗散 2700
最大连续漏极电流 19
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 19A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
供应商设备封装 TO-252, (D-Pak)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 60 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.7W
输入电容(Ciss ) @ VDS 1710pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 40nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SUD19P06-60L-E3CT
工厂包装数量 2000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 19 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 60 mOhms
功率耗散 2.7 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-252
上升时间 9 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 - 60 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降时间 30 ns
系列 SUD
品牌 Vishay Semiconductors
商品名 TrenchFET
技术 Si

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