vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 18.3 A |
| RDS -于 | 60@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型上升时间 | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 典型下降时间 | 30 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 2300 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 60@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 2.39(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 18.3 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18.3A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 60 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1710pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SUD19P06-60-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 18.3 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 60 mOhms |
| 功率耗散 | 2.3 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| 上升时间 | 9 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 30 ns |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.06 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | DPAK |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :-18.3A |
| Drain Source Voltage Vds | :-60V |
| On Resistance Rds(on) | :0.048ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-3V |
| 功耗 | :38.5W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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