图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.7A, 3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 16nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 1.13W, 1.2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SOIC N |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 3.7@N Channel|3@P Channel A |
| RDS -于 | 53@10V@N Channel|80@10V@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12@N Channel|8@P Channel ns |
| 典型上升时间 | 10@N Channel|9@P Channel ns |
| 典型关闭延迟时间 | 23@N Channel|21@P Channel ns |
| 典型下降时间 | 8@N Channel|10@P Channel ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1130@N Channel|1200@P Channel |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 53@10V@N Channel|80@10V@P Channel |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 1.55(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 3.7@N Channel|3@P Channel |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.7A, 3A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 1.13W, 1.2W |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 16nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 4.9 A, 3.9 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 53 mOhms at N Channel, 80 mOhms at P Channel |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 零件号别名 | SI4532ADY-GE3 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| Continuous Drain Current Id | :3.7A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :44mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1V |
| 功耗 | :1.13W |
| Weight (kg) | 0.00001 |
| Tariff No. | 85412900 |
SI4532ADY-T1-GE3也可以通过以下分类找到
SI4532ADY-T1-GE3相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家