图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.9A, 3.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 65 mOhm @ 3.9A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 15nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 235pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | SO-8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SOIC N |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 3.9@N Channel|3.5@P Channel A |
| RDS -于 | 65@10V@N Channel|85@10V@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | 20@N Channel|-20@P Channel V |
| 典型导通延迟时间 | 7@N Channel|9@P Channel ns |
| 典型上升时间 | 18@N Channel|8@P Channel ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15@N Channel|18@P Channel ns |
| 典型下降时间 | 0.8@N Channel|6@P Channel ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | 20@N Channel|-20@P Channel |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 65@10V@N Channel|85@10V@P Channel |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大连续漏极电流 | 3.9@N Channel|3.5@P Channel |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.9A, 3.5A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 65 mOhm @ 3.9A, 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 235pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 15nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI4532DYCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Drain |
| 外形尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 0.095 Ω, 0.19 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOIC |
| 典型栅极电荷@ VGS | 15 nC @ 10 V, 15 nC @ -10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 235 pF @ 10 V, 420 pF @ -10 V |
| 宽度 | 4mm |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N/P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | :N and P Channel |
| Continuous Drain Current Id | :3.9A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :53mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85331000 |
| associated | 80-4-5 |
SI4532DY也可以通过以下分类找到
SI4532DY相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家