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数量:0 |
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| 规格书 |
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| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 7.7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 200 mOhm @ 4.6A, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8.4nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 400pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3IPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 7.7 A |
| RDS -于 | 200@5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 9.3 ns |
| 典型上升时间 | 110 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 典型下降时间 | 26 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7.7A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商设备封装 | TO-251AA |
| 其他名称 | *IRLU014 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 200 mOhm @ 4.6A, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 400pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.4nC @ 5V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 7.7 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 200 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 110 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | No RoHS Version Available |
| 下降时间 | 26 ns |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 技术 | Si |
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