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#1 |
数量:10001 |
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| 规格书 |
 IRLR024ZPbF, IRLU024ZPbF |
| 文档 |
IRLR024Z Spice Model IRLR024Z Saber Model IRLR024Zxx 17/Jan/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 16A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 58 mOhm @ 9.6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 9.9nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 35W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±16 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 包装宽度 | 2.39(Max) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 6.22(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 35000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 58@10V |
| 最大漏源电压 | 55 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 16 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 16A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 标准包装 | 75 |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 58 mOhm @ 9.6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 35W |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 380pF @ 25V |
| 其他名称 | *IRLU024ZPBF |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 9.9nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 16 A |
| 栅源电压（最大值） | �16 V |
| 功率耗散 | 35 W |
| 漏源导通电阻 | 0.058 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | IPAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 55 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Current,Drain | 16A |
| GateCharge,Total | 6.6nC |
| PackageType | I-Pak(TO-251AA) |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 35W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 46Milliohms |
| Temperature,Operating,Maximum | +175°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 19ns |
| Time,Turn-OnDelay | 8.2ns |
| Transconductance,Forward | 7.4S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 55V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.3V |
| Voltage,GatetoSource | ±16V |
| associated | RE901 EYGA121807A EYGA091203SM FK 244 13 D PAK |
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