图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 200 mOhm @ 6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 11nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.7W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| RDS -于 | 200@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 50 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 典型下降时间 | 19 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 200 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.7W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 300pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| 正向跨导 - 闵 | 2.4 S |
| RDS（ON） | 200 mOhms |
| 功率耗散 | 3.7 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| 上升时间 | 50 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 19 ns |
| 漏极电流（最大值） | 10 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.2 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 技术 | Si |
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