1. IRFZ24NSTRLPBF
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厂商型号

IRFZ24NSTRLPBF 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

176-IRFZ24NSTRLPBF

订购说明

质量保障

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IRFZ24NSTRLPBF产品详细规格

规格书 IRFZ24NSTRLPBF datasheet 规格书
IRFZ24NSTRLPBF datasheet 规格书
文档 IRFZ24NSPBF Spice Model
IRFZ24NSPBF Saber Model
Alternate Assembly Site 11/Nov/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 55V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 17A
Rds(最大)@ ID,VGS 70 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 20nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 370pF @ 25V
功率 - 最大 3.8W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 55 V
最大连续漏极电流 17 A
RDS -于 70@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 4.9 ns
典型上升时间 34 ns
典型关闭延迟时间 19 ns
典型下降时间 27 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 D2PAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 70@10V
最大漏源电压 55
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 D2PAK
最大功率耗散 3800
最大连续漏极电流 17
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 17A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 55V
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 70 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.8W
输入电容(Ciss ) @ VDS 370pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 20nC @ 10V
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IRFZ24NSTRLPBFCT
工厂包装数量 800
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 17 A
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 45 W
封装/外壳 D2PAK
漏源击穿电压 55 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 13.3 nC
栅源电压(最大值) �20 V
漏源导通电阻 0.07 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 D2PAK
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 55 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
案例 D2PAK
Transistor kind HEXFET
Transistor type N-MOSFET
功率 45W
Drain-source voltage 55V
极化 unipolar
Drain current 17A
Multiplicity 800
Gross weight 0.43 g
Package type roll
Collective package [pcs] 800
spg 800

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