图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 IRFR120, IRFU120 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 7.7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 270 mOhm @ 4.6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 16nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 360pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | IPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 270@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-251AA |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大连续漏极电流 | 7.7 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7.7A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商设备封装 | TO-251AA |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 270 mOhm @ 4.6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 360pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 16nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 漏极电流（最大值） | 7.7 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 安装 | Through Hole |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.27 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-251AA |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 7.7 A |
| 删除 | Not Compliant |
IRFU120也可以通过以下分类找到
IRFU120相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家