规格书 |
![]() ![]() |
文档 |
IRFU1205 Saber Model IRFU1205 Spice Model |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 55V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 44A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 27 mOhm @ 26A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 65nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1300pF @ 25V |
功率 - 最大 | 107W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
包装 | 3IPAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 55 V |
最大连续漏极电流 | 44 A |
RDS -于 | 27@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 7.3 ns |
典型上升时间 | 69 ns |
典型关闭延迟时间 | 47 ns |
典型下降时间 | 60 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | N-Channel |
漏源击穿电压 | 55 V |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 37 A |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | IPAK |
封装 | Tube |
栅极电荷Qg | 43.3 nC |
功率耗散 | 69 W |
工厂包装数量 | 75 |
寿命 | New At Mouser |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
标准包装名称 | IPAK |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 27@10V |
最大漏源电压 | 55 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | IPAK |
最大功率耗散 | 107000 |
最大连续漏极电流 | 44 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 44A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
供应商设备封装 | I-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 27 mOhm @ 26A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 107W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1300pF @ 25V |
其他名称 | *IRFU1205PBF |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 65nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
案例 | IPAK |
Transistor kind | HEXFET |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 69W |
Drain-source voltage | 55V |
极化 | unipolar |
Drain current | 37A |
Multiplicity | 1 |
Gross weight | 0.43 g |
Collective package [pcs] | 75 |
spg | 75 |
IRFU1205PBF也可以通过以下分类找到
IRFU1205PBF相关搜索
咨询QQ
热线电话