图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
IRFU1205 Saber Model IRFU1205 Spice Model |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 44A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 27 mOhm @ 26A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 65nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 107W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3IPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 最大连续漏极电流 | 44 A |
| RDS -于 | 27@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.3 ns |
| 典型上升时间 | 69 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 典型下降时间 | 60 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 37 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | IPAK |
| 封装 | Tube |
| 栅极电荷Qg | 43.3 nC |
| 功率耗散 | 69 W |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 寿命 | New At Mouser |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | IPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 27@10V |
| 最大漏源电压 | 55 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 最大功率耗散 | 107000 |
| 最大连续漏极电流 | 44 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 44A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 27 mOhm @ 26A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 107W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1300pF @ 25V |
| 其他名称 | *IRFU1205PBF |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 65nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 案例 | IPAK |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 69W |
| Drain-source voltage | 55V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 37A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Collective package [pcs] | 75 |
| spg | 75 |
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